「GaN」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

2つのスイッチを統合：
インフィニオンが650VのGaN双方向スイッチ、複数の変換ステージが不要に
インフィニオン テクノロジーズは、GaN双方向スイッチ「CoolGaN BDS 650V G5」を発表した。2つのスイッチを統合しており、単一ステージでの電力変換に対応。既に受注を開始している。（2025/6/13）

超低損失と高飽和磁束密度を両立：
次世代パワエレ向け軟磁性ナノ結晶圧粉コアを開発
トーキンは、次世代パワーエレクトロニクスに向けた「軟磁性ナノ結晶圧粉コア」を、東北大学と共同開発した。新材料は従来材料を大きく上回る超低損失と高飽和磁束密度を実現しており、電力変換機器のさらなる高効率化と小型化が可能となる。（2025/6/13）

Verbatim、GaN技術を採用した小型設計のUSB充電器
Verbatim Japanは、小型設計のUSB充電器計5製品を発売する。（2025/6/2）

電子ブックレット：
シャープのディスプレイ／半導体デバイス事業のこれまで
「EE Times Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、2012年以降にEE Times Japanで扱った、シャープのディスプレイ／半導体デバイス事業に関する記事をまとめた。（2025/6/2）

「Zenfone 12 Ultra」国内上陸　独自AIやカメラ機能を強化、シリーズ初のeSIM対応　14万9800円から
ASUS JAPANが5月30日に最新スマートフォン「Zenfone 12 Ultra」を発売する。クラウドとオンデバイスで処理をする独自のAI機能を備えている。カメラは手ブレ補正や動画撮影機能を強化した。価格は16万9800円から。（2025/5/28）

「パワエレの革命だ」：
Navitasが「世界で初めて」量産化した650V 双方向GaN IC
Navitas Semiconductorは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」において、「世界で初めて」（同社）量産化した650V 双方向GaN ICなどを紹介した。説明担当者は「高効率化やコスト削減、設計の大幅なコンパクト化を実現する。これはパワーエレクトロニクスにおける革命だ」と語っていた。（2025/5/28）

PR：UGREENの周辺機器が最大39％オフになるセール開催　100W充電器やモバイルバッテリー、M.2 SSDケースに注目！
（2025/5/28）

ドローン：
GaNパワー半導体デバイスを搭載した小型軽量のドローン用ESC
ニデックは、次世代技術のGaNパワー半導体デバイスを搭載した、小型軽量のドローン用ESCを開発した。重量を従来の3分の1に抑えるだけでなく、モーター効率も向上させている。（2025/5/26）

次世代パワー半導体量産の基盤技術：
独自手法でβ型酸化ガリウムを高速成長
東京農工大学の熊谷義直教授らのグループは、次世代パワー半導体の材料として注目されている「β型酸化ガリウム」結晶を、高速に成長させる技術を開発した。このβ型酸化ガリウム結晶は、独自の減圧ホットウォール有機金属気相成長（MOVPE）法を用いて成長させ、高い精度でn型キャリア密度を制御している。（2025/5/26）

なぜ“充電器のアンカー”が「カフェ事業」に乗り出すのか？
最も象徴的だったのが、猿渡歩CEOによるカフェ事業への参入だ。（2025/5/24）

人とくるまのテクノロジー展2025：
GaNデバイスの真価は縦型にあり、豊田合成がGaNウエハーとGaN-MOSFETを披露
豊田合成は、「人とくるまのテクノロジー展 2025 YOKOHAMA」において、GaNウエハーとGaN-MOSFETに関する研究開発成果を披露した。（2025/5/23）

2035年には6195億円に拡大も：
SiCウエハー市場、単価下落で伸び率鈍化
富士経済は、パワー半導体向けウエハーの世界市場について、2035年までの予測を発表した。特に注目しているがSiCウエハー市場で、2024年の1436億円に対し、2035年は6195億円と約4.3倍に拡大すると予測した。（2025/5/23）

「AIチップで直接電力変換を可能に」：
NVIDIAとInfineon、AIサーバ向け800V電力供給アーキテクチャを共同開発
Infineon TechnologiesがNVIDIAと協業し、次世代AIデータセンター向けに「業界初」（同社）の800V高電圧直流（HVDC）電力供給アーキテクチャを開発する。Infineonは「将来のAIデータセンターに必要な電力供給アーキテクチャに革命を起こす」などと強調している。（2025/5/21）

高効率、低コストを実現：
2個の従来デバイスを1個で置き換え、Infineonの650V GaN双方向スイッチ
Infineon Technologiesが双方向の電圧／電流制御が可能な窒化ガリウム（GaN）デバイス「CoolGaN bidirectional switch 650V G5」（以下、CoolGaN BDS 650V G5）を発表した。同製品1個で2個の従来型スイッチを置き換えられ、部品点数、コスト、サイズ、全体的な電力損失を削減できる。（2025/5/20）

高速スイッチング特性を引き出す：
ローム初の高耐圧GaNデバイス向け絶縁ゲートドライバーIC
ロームは、同社初となる高耐圧GaN HEMT向け絶縁ゲートドライバーIC「BM6GD11BFJ-LB」を開発した。GaNデバイス製品と組み合わせることで、高周波・高速スイッチング駆動を実現し、モーターやサーバ電源などを小型化・高効率化できる。（2025/5/19）

組み込み開発ニュース：
世界初となるショットキーダイオード内蔵の産業用GaNパワートランジスタ
Infineon Technologiesは、ショットキーダイオード内蔵の産業用GaNトランジスタとしては世界初となる「CoolGaNトランジスタG5」ファミリーを発表した。デッドタイム損失を低減し、システムの高効率化に寄与する。（2025/5/13）

AC充電器＋モバイルバッテリーになるUSB Type-Cケーブル内蔵「PowerFusion 5000 45W」発売　MATECHから
MATECHは、AC充電器とモバイルバッテリーのハイブリッドモデル「PowerFusion 5000 45W」を発売。手のひらサイズのコンパクト設計で最大45W出力を実現し、USB Type-Cケーブルを内蔵する。Amazonの価格は6990円（税込み）。（2025/5/12）

卵サイズで最大67W出力のGaN充電器発売、USB Type-Cポート×3搭載でノートPCも充電　サンワから
サンワサプライは幅3cm、奥行き5cmと卵程度のコンパクトUSB充電器を発売。GaNで最大67W出力を実現し、スマートフォン、タブレット、ノートPC同時に充電できるUSB Type-Cポートを3つ搭載する。価格は4580円（税込み）。（2025/5/12）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
こんどは中国Innoscienceが「最終勝利」宣言、GaNパワー半導体特許紛争
「われわれはEPCが仕掛けた2年間にわたる実利のない特許紛争に完全な勝利を収めたことになる」とInnoscience。（2025/5/12）

一気におさらい　AIはじめて物語【第2回】
ここがAI進化の分水嶺　1970〜2000年代を貫く技術革命の全貌
人間の知識をただまねるだけのAIから、自ら学習し進化するAIへ。1970年代から2000年代にかけて起きた技術の大躍進を分かりやすく解説する。（2025/5/9）

捨てたのは“赤ポッチ”だけじゃない？　レノボの新フラグシップ「ThinkPad X9 14 Gen 1 Aura Edition」の実像に迫る
象徴ともいえる「TrackPoint」を省いたThinkPad――それが「「ThinkPad X9」だ。今回は、ある意味で“らしくない’ThinkPadの14型のエントリークラスを実際に試してみる。（2025/5/8）

31か国から650社／団体以上が出展：
世界最大規模のパワエレ展示会「PCIM」が開幕
世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo＆Conference」が、ドイツ・ニュルンベルクで開幕。31カ国から集まった650以上の企業／団体がパワーエレクトロニクス分野の最新技術を紹介している。（2025/5/7）

電子ブックレット（EDN）：
新入社員が知っておきたい半導体トレンド「次世代パワー半導体」
「EDN Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、新入社員が知っておきたい半導体トレンド「次世代パワー半導体材料」に関するおすすめをまとめました。（2025/5/8）

Gartner Insights Pickup（396）：
オンデバイス生成AI処理への移行が進展――データセンターの電力制約が背景
生成AIや大規模言語モデル（LLM）の利用拡大により、コンピューティング能力の需要が増大し、データセンターの運営を圧迫している。生成AIの電力要件の増加は、IT部門にとっても重大な制約となりつつある。生成AI関連の製品やアプリケーションを展開する上でネックになる場合があるからだ。（2025/4/25）

2025年4月7日週の動き：
半導体メーカーの「悲喜こもごも」　絶好調のTSMC、人員削減のST
STMicroelectronicsは2025年4月、製造拠点と従業員の再編を全社的に実施することを明らかにした。またInfineon Technologiesは、Marvell Technology（以下、Marvell）の車載イーサネット事業部門を25億米ドルで買収すると発表している。（2025/4/16）

スマホの急速充電回路など向け：
同等サイズのGaN HEMTよりも低いオン抵抗を実現したMOSFET
ロームは、パッケージの外形寸法が2.0×2.0mmと小さく、オン抵抗が2.0mΩ（代表値）のN型30V耐圧コモンソース構成のMOSFET「AW2K21」を開発、量産を始めた。スマートフォンの急速充電回路などに提案していく。（2025/4/16）

エレコム、小型設計の2ポートType-C充電器
エレコムは、小型デザイン筐体を採用した2ポート搭載USB充電器計3製品を発表した。（2025/4/15）

産業向けに：
ショットキーダイオード内蔵GaNパワートランジスタ、Infineonが開発
　Infineon Technologiesが、「世界初」（同社）となる、ショットキーダイオード内蔵の産業用GaNパワートランジスタ「CoolGaN Transistors G5」ファミリーを開発した。デッドタイム損失を低減することで電力システムの性能を向上し、システム全体の高効率化を進めると同時に、パワーステージ設計簡素化による部品表（BOM）コスト低減も実現するとしている。（2025/4/14）

組み込み開発ニュース：
6kW超の電力パス保護が可能な電源向けPMIC、電力需要増すデータセンター向け
日本テキサスインスツルメンツ（日本TI）は、業界初の電力パス保護機能を搭載するデータセンターの電源向けパワーマネジメントIC「TPS1685」を発表した。（2025/4/9）

電動化：
マツダが次世代半導体を使った自動車部品の共同開発をスタート
マツダとロームは、次世代半導体として注目される窒化ガリウム製パワー半導体を使用した自動車部品の共同開発を開始した。次世代半導体の実装化で自動車の技術革新に寄与する。（2025/4/7）

2035年に7兆7710億円規模へ：
パワー半導体市場、25年後半に在庫が正常化　26年から成長拡大
富士経済はパワー半導体の世界市場を調査、2035年には7兆7710億円規模に達すると発表した。2024年に比べ2.3倍の市場規模となる。2024年は電気自動車（EV）の需要鈍化などで在庫を抱えたが、長期的には電動車の普及拡大などにより、パワー半導体市場は大きく伸びると予測した。（2025/4/7）

三菱電機 MGFS52G40MB：
5G基地局向けGaN電力増幅器モジュール
三菱電機は、5G massive MIMO基地局向けGaN電力増幅器モジュール「MGFS52G40MB」を発表した。独自の整合回路設計技術を適用し、3.6〜4.0GHz帯へ対応。より多くの国や地域の5G基地局の普及拡大に貢献する。（2025/4/4）

車載半導体：
自動車に不可欠なモーターとパワー半導体、東芝の戦略は
車載用半導体にどのように取り組むのか。東芝デバイス＆ストレージが説明会を開き、戦略を紹介した。（2025/4/3）

サプライチェーン強化へ：
STと中国Innoscience、GaN開発／製造で提携　互いの拠点活用
STMicroelectronicsは2025年3月31日（スイス時間）、中国の窒化ガリウム（GaN）パワー半導体メーカーであるInnoscienceと、GaN技術の開発と製造に関する契約を締結した。GaNパワー技術の共同開発を行うほか、欧州や中国の製造拠点を互いに活用しサプライチェーン強化を目指す。（2025/4/1）

2027年度に実用化へ：
ロームがマツダと車載GaNパワー半導体搭載品を共同開発
ロームとマツダが、GaNパワー半導体を用いた自動車部品の共同開発を開始した。2025年度中にコンセプトの具現化とデモ機によるトライアルを実施し、2027年度の実用化を目指す。（2025/3/27）

北米などの5G Massive MIMO基地局用：
3.6G〜4.0GHz帯対応GaN電力増幅器モジュール 三菱電機
三菱電機は、3.6G〜4.0GHz帯で動作する平均出力電力16Wの5G基地局用GaN電力増幅器モジュール「MGFS52G40MB」を開発、サンプル出荷を始めた。5G Massive MIMO基地局用装置の製造コスト削減や電力消費の低減が可能となる。（2025/3/24）

PR：レノボのワークステーションは性能が高くてメンテナンスしやすいだけでない！　中の人だからこそ分かる“強さ”
レノボ・ジャパンは多彩な法人向けPCを販売している。「ThinkPad P」「ThinkStation」は、パワフルなワークステーションモデルで、処理パフォーマンスを重視するユーザーにピッタリだ。その中でもお勧めのモデルや、法人向けWeb直販サービス「Lenovo Pro」を紹介しよう。（2025/3/25）

電動化：
ナトリウムイオン電池がモバイルバッテリーに、車載で実績のあるセルを採用
エレコムはナトリウムイオン電池を使用したモバイルバッテリーを発売する。（2025/3/14）

PR：「iPhone 16e」で使いたい！　TORRASの保護ケースとアイデア充電アイテムを試してみた
待望の低価格＆高性能iPhoneとして「iPhone 16e」が発売され、これから購入を考えている人も多いだろう。そこでおすすめなのが、TORRASの保護ケースと、USB Type-C充電器やモバイルバッテリーだ。これらの製品を実際にiPhone 16eで試してみた。（2025/3/10）

高出力領域で拡大へ：
ついにAIサーバに、次は車載へ　GaNパワー半導体で攻めるローム
急速な成長を続ける窒化ガリウム（GaN）パワー半導体市場での展開で、ロームが新たな段階に入った。これまでは民生機器向けが中心だったが、AIサーバ用電源ユニットに初採用されたことを皮切りに、車載などのハイパワーアプリケーションでの採用拡大を狙う。（2025/3/11）

CIOが「楽天スーパーSALE」で充電器やモバイルバッテリーなど最大50％オフ　3月11日まで
CIOは、3月11日まで開催する「楽天スーパーSALE」へ参加。モバイルバッテリー「SMARTCOBY」シリーズやGaN急速充電器「NovaPort」シリーズなどを最大50％オフで提供する。また、最大1000円オフクーポンも配布している。（2025/3/5）

AIからスピントロニクスまで：
半導体業界 2025年の注目技術
編集部が選んだ2025年の注目技術を紹介する。（2025/3/3）

26年には8インチ化も：
ロームが25年に第3世代GaN HEMT量産へ　TSMCとQoss改善
ロームは、650V耐圧GaN HEMTの第3世代を2025年に量産開始する。高いGaNプロセス技術を有するTSMCと共同で、スイッチング損失低減に関わる出力電荷量（Qoss）の改善に取り組んでいて、第3世代品では現行品からQossを大幅に削減する。また、2026年には、GaNパワー半導体製造の8インチ化も計画する。（2025/2/27）

組み込み採用事例：
650V耐圧のGaN-HEMTがAIサーバ向け電源ユニットに採用
ロームのEcoGaN製品GaN-HEMTが、Murata Power SolutionsのAIサーバ向け電源ユニットに採用された。同GaN-HEMTは、650V耐圧のTOLLパッケージを採用し、電源の高効率動作と小型化に貢献する。（2025/2/27）

FLOSFIA出身CEOの再挑戦：
三拍子そろった好材料　次なるパワー半導体「二酸化ゲルマニウム」の可能性
SiCやGaNのさらに次の世代のパワー半導体材料として期待される二酸化ゲルマニウム。その社会実装を目指す立命館大学発のスタートアップ、Patentixで社長兼CEOを務める衣斐豊祐氏と、Co-CTO（共同最高技術責任者）を務める金子健太郎氏に話を聞いた。（2025/2/27）

雪で覆われた青森駅前、そこで芽吹くのは……　ひょっこり顔を出す“ありえないもの”の姿に23万いいね「ふきのとうみたい」「風物詩だわぁ」
収穫が待ち遠しい。（2025/2/27）

CIO、最大50％オフの「Amazon スマイルSALE 新生活」へ参加　モバイルバッテリーや急速充電器がお得に
CIOは、2月28日9時〜3月4日23時59分に開催される「Amazon スマイルSALE 新生活」へ参加。モバイルバッテリー「SMARTCOBY」シリーズや、小型GaN急速充電器「NovaPort」シリーズなどが最大50％オフになる。（2025/2/25）

6G通信用でRF半導体需要が拡大：
化合物半導体市場、2031年に7兆9920億円規模へ
化合物半導体の世界市場は、2024年見込みの4兆4584億円に対し、2031年には7兆9920億円規模に達する。今後はLEDチップやパワー半導体が市場拡大に寄与する。富士キメラ総研が市場調査し、2031年までの予測を発表した。（2025/2/20）

ローム GNP2070TD-Z：
小型／高放熱TOLLパッケージの650V耐圧GaN HEMT
ロームは、TOLLパッケージの650V耐圧GaN HEMT「GNP2070TD-Z」の量産を開始した。産業機器や車載機器の中でも、大電力対応が求められるアプリケーションに適している。（2025/2/18）

村田製作所グループ会社が採用：
ロームのGaN HEMT、AIサーバ向け電源に搭載決まる
ロームは2025年2月、Murata Power Solutionsが開発するAIサーバ向け5.5kW出力のM電源ユニットに、ロームの「GaN HEMT」が採用されたと発表した。このGaN HEMTは650V耐圧で高放熱のTOLLパッケージを用いている。（2025/2/18）